SK海力士在业界率先开发出最新高带宽存储器（HBM, High Bandwidth Memory）产品HBM3 1 ，公司不仅又一次创造历史，更进一步巩固了SK海力士在DRAM市场上的领先地位。 SK海力士于2021年10月成功开发出HBM3，并于2022年6月开始量产。SK海力士还将向英伟达系统供应HBM3，而该 ...

据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示，目前2024年HBM（High Bandwidth Memory）市场主流为HBM3，NVIDIA新世代含B100或H200的规格则为最新HBM3e产品。不过，由于AI需求高涨，目前英伟达（NVIDIA）以及其他品牌的GPU或ASIC供应紧俏，除了CoWoS是供应瓶颈，HBM亦同，主要是 ...

外媒Wccftech援引《电子时报》（DigiTimes）的报道称，三星（Samsung）正考虑将现有的高带宽内存（High Bandwidth Memory，HBM）产能转向生产DDR5内存，以期在当前内存模组超级周期中获取最大利润。 内存模块的短缺程度已达到前所未有的水平，甚至未来几季的供货量都 ...

苹果正在为2025年推出的20周年纪念版iPhone研发一项革命性技术——高带宽内存（HBM, High Bandwidth Memory）。这项技术基于先进的3D堆叠封装工艺（3D TSV, Through-Silicon Via），通过垂直堆叠多层DRAM芯片，并通过硅通孔技术实现高速互联，显著提升了内存带宽和能效比。

高带宽存储器(High Bandwidth Memory，HBM)加工制造流程主要包括前端晶圆制造加工，以及后端Bumping、Stacking和KGSD测试环节。其中，相较于平面DRAM的制造流程，TSV(硅通孔)技术是HBM实现芯片垂直堆叠的核心工艺。 TSV技术是一种通过在硅芯片内部钻孔形成垂直贯通的电极 ...

HBM的全称是High Bandwidth Memory, 即高带宽内存，目前广泛应用于GPU芯片中。HBM采用的是3D堆叠的DRAM芯片结构，如下图所示。多颗DRAM芯片通过TSV技术和micro-bump，在垂直方向堆叠在一起··· 在2023 OCP全球峰会上，三星提出了在HBM与Logic芯片间采用Optical IO技术进行 ...

A global surge in memory-chip prices is exposing the resource strains behind the seemingly unstoppable rise of artificial intelligence. From Shenzhen’s Huaqiangbei electronics bazaar to data-center ...

1、SK海力士在高带宽存储器市场份额排名第一 全球高带宽存储器(High Bandwidth Memory，HBM)市场份额被SK海力士、三星和美光科技三大龙头占据。根据TrendForce数据，以出货量作为统计口径，2023年全球HBM市场中，SK海力士和三星的市场份额各占47.5%左右，而美光份额约 ...

据媒体报道，苹果正在为20周年iPhone研发多项创新技术，其中HBM内存被视为关键发展方向之一。 据悉，HMB全称是High Bandwidth Memory，中文名为“高带宽内存”，这是一种全新的基于3D堆栈技术的高性能DRAM。 它能提高数据吞吐量，同时降低功耗并缩小内存芯片体积 ...